First Principles Study of Thermo-Mechanical Properties of Gallium Phosphide
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
determination of some physical and mechanical properties red bean
چکیده: در این تحقیق، برخی خواص فیزیکی و مکانیکی لوبیا قرمز به-صورت تابعی از محتوی رطوبت بررسی شد. نتایج نشان داد که رطوبت بر خواص فیزیکی لوبیا قرمز شامل طول، عرض، ضخامت، قطر متوسط هندسی، قطر متوسط حسابی، سطح تصویر شده، حجم، چگالی توده، تخلخل، وزن هزار دانه و زاویه ی استقرار استاتیکی در سطح احتمال 1 درصد اثر معنی داری دارد. به طوری که با افزایش رطوبت از 54/7 به 12 درصد بر پایه خشک طول، عرض، ضخام...
15 صفحه اولmodification of nanoclay for improving the physico-mechanical properties of dental adhesives
هدف اصلی این مطالعه تهیه یک سامانه نوین چسب عاجی دندانی بر پایه نانورس پیوند شده با پلی متاکریلیک اسید، نانورس پیوند شده با پلی اکریلیک اسید، مخلوط نانوسیلیکا و نانورس پیوند شده با پلی متاکریلیک اسید، مخلوط نانوسیلیکا و نانورس پیوند شده با پلی اکریلیک اسید و نانورس پیوند شده با کیتوسان اصلاح شده با گلایسیدیل متاکریلات است. پیوند پلی متاکریلیک اسید و پلی اکریلیک اسید بر ری سطح نانورس در حضور و ...
Mechanical properties of graphyne monolayers: a first-principles study.
We investigated the mechanical properties of graphyne monolayers using first-principles calculations based on the Density Functional Theory. Graphyne has a relatively low in-plane Young's modulus (162 N m(-1)) and a large Poisson ratio (0.429) compared to graphene. It can sustain large nonlinear elastic deformations up to an ultimate strain of 0.2 followed by strain softening until failure. The...
متن کاملOptical Properties of Strained Wurtzite Gallium Phosphide Nanowires
Wurtzite gallium phosphide (WZ GaP) has been predicted to exhibit a direct bandgap in the green spectral range. Optical transitions, however, are only weakly allowed by the symmetry of the bands. While efficient luminescence has been experimentally shown, the nature of the transitions is not yet clear. Here we apply tensile strain up to 6% and investigate the evolution of the photoluminescence ...
متن کاملGallium self-diffusion in gallium phosphide
Ga self-diffusion in gallium phosphide ~GaP! is measured directly in isotopically controlled GaP heterostructures. Secondary ion mass spectroscopy ~SIMS! is used to monitor intermixing of Ga and Ga between isotopically pure GaP epilayers which are grown by molecular beam epitaxy ~MBE! on GaP substrates. The Ga self-diffusion coefficient in undoped GaP is determined to be D52.0 cm s exp(24.5 eV/...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: International Journal of Metallurgy and Metal Physics
سال: 2017
ISSN: 2631-5076
DOI: 10.35840/2631-5076/9206